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随着新能源电动汽车技术越来越成熟，更多家庭选择新能源电动汽车作为代步出行工具，作为新能源电动汽车配套设施的充电桩，普及率也越来越高。充电桩是国家新基建重点建设项目，是人口稠密区域住宅区、商务中心以及高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 
安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，具有更优的雪崩耐量，提高了器件应用中的可靠性。同时，采用自主创新先进的多层外延技术，优化了器件开关特性，使其在系统应用中具有更好的表现，为系统设计提供更多选择。
安森德SJ MOSFET优势
效率高
较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、Qg，有效的降低导通、开关损耗。
低温升
较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。
稳定性强
强大的 EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。
内阻低
超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。
体积小
在同等电压和电流要求下，超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小，可以封装更小尺寸的产品。 
应用拓扑图 
行业市场应用
随着新能源电动汽车的日益普及，作为国家新基建重要组成部分的充电桩，覆盖范围也越来越广，不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区，都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的技术积累，研发出同类别性能优异的超级结MOSFET，具备更高性能、能效和更低损耗等特点，为电动汽车充电应用提供高能效创新的半导体方案。
此外，SJ MOSFET还广泛应用于服务器电源、新能源汽车、光伏、逆变、储能等领域。
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